Jiaxing Huang’in doğum tarihi 15 Mart 1975’tir. Çin’de doğan Huang, nanomateryaller ve enerji depolama alanında çalışmıştır. Northwestern Üniversitesi’nde çalışan Huang, grafen bazlı malzemeler geliştirmiştir. Bu malzemeler, batarya ve süperkapasitör teknolojilerinde kullanılmaktadır. Huang’in çalışmaları, MRS Ödülü ile tanınmıştır. Çin ve ABD’deki malzeme bilimine katkıda bulunmuş, enerji çözümleriyle öne çıkmıştır. Huang, pratik yeniliklere odaklanır.